051-37638090
0

اس اس دی سامسونگ 1 ترابایت مدل M.2 NVME 990 PRO Heatsink

شناسه محصول : 13165
تنظیم اصلالت کالا
تحویل سریع
پرداخت آنلاین
نماد 2 ستاره
ارسال رایگان

ویژگی های محصول

 

    • ظرفیت : 1 ترابایت

 

    • نوع رابط : ام2 – M.2

 

    • سرعت خواندن اطلاعات : 7450 مگابایت بر ثانیه

 

    • سرعت نوشتن اطلاعات : 6900 مگابایت بر ثانیه

 

    • نوع حافظه فلش : Samsung V-NAND 3-bit MLC

 

    • نوع کنترل کننده : Samsung in-house

 

    • میانگین طول عمر : 1.500.000 ساعت

 

    • مقاوم در برابر شوک :

 

اتمام موجودی

اس اس دی سامسونگ PCIe 4.0 مدل 990 PRO Heatsink دارای سرعت بالای خواندن اطلاعات 7450 مگابایت بر ثانیه و نوشتن اطلاعات 6900 مگابایت بر ثانیه است.ظرفیت اس اس دی هم یک ترابایت است و در قالب M.2 NVME 2280 PCIe Gen 4.0 x4 می باشد.

ویژگیمقدار
← مدل و سازنده کارت گرافیک
مدل990 PRO Heatsink
سایر ویژگی‌ها
نوع کنترل کننده controllerSamsung in house
پشتیبانی از trim
وزن28 گرم
سایر مشخصات
← مشخصات فنی اس اس دی
هیت سینک خنک کننده-
مقاوم در برابر شوک-
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفیUP TO 1,550,000 IOPS
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفیUP TO 1,200,000 IOPS
نوع حافظه فلشSamsung V NAND 3 bit MLC
نوع رابط PCIe-
رابط-
← مشخصات فنی اس اس دی اکسترنال
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی7450 مگابایت بر ثانیه
میانگین طول عمر mtbf1.500.000 ساعت
← مشخصات فنی درایو
سازنده درایو-
← مشخصات فنی رم
ظرفیت رم-
← مشخصات فیزیکی کارت گرافیک
ابعادطول : 80 میلی متر عرض : 24.3 میلی متر ضخامت : 8.2 میلی متر

دیدگاه‌ها بسته شده‌اند.

اس اس دی سامسونگ PCIe 4.0 مدل 990 PRO Heatsink دارای سرعت بالای خواندن اطلاعات 7450 مگابایت بر ثانیه و نوشتن اطلاعات 6900 مگابایت بر ثانیه است.ظرفیت اس اس دی هم یک ترابایت است و در قالب M.2 NVME 2280 PCIe Gen 4.0 x4 می باشد.

ویژگیمقدار
← مدل و سازنده کارت گرافیک
مدل990 PRO Heatsink
سایر ویژگی‌ها
نوع کنترل کننده controllerSamsung in house
پشتیبانی از trim
وزن28 گرم
سایر مشخصات
← مشخصات فنی اس اس دی
هیت سینک خنک کننده-
مقاوم در برابر شوک-
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفیUP TO 1,550,000 IOPS
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفیUP TO 1,200,000 IOPS
نوع حافظه فلشSamsung V NAND 3 bit MLC
نوع رابط PCIe-
رابط-
← مشخصات فنی اس اس دی اکسترنال
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی7450 مگابایت بر ثانیه
میانگین طول عمر mtbf1.500.000 ساعت
← مشخصات فنی درایو
سازنده درایو-
← مشخصات فنی رم
ظرفیت رم-
← مشخصات فیزیکی کارت گرافیک
ابعادطول : 80 میلی متر عرض : 24.3 میلی متر ضخامت : 8.2 میلی متر

دیدگاه‌ها بسته شده‌اند.