اس اس دی سامسونگ 1 ترابایت مدل M.2 NVME 990 EVO
شناسه محصول : 13380
تنظیم اصلالت کالا
تحویل سریع
پرداخت آنلاین
نماد 2 ستارهارسال رایگان
ویژگی های محصول
-
- ظرفیت : 1 ترابایت
-
- نوع رابط : ام2 – M.2
-
- سرعت خواندن اطلاعات : 5000 مگابایت بر ثانیه
-
- سرعت نوشتن اطلاعات : 4200 مگابایت بر ثانیه
-
- نوع حافظه فلش : Samsung V-NAND TLC
-
- نوع کنترل کننده : Samsung in-house
-
- میانگین طول عمر : 1.500.000 ساعت
-
- مقاوم در برابر شوک : √
اتمام موجودی
اس اس دی سامسونگ PCIe 4.0 مدل 990 EVO دارای یک ترابایت حافظه با سرعت بالای خواندن اطلاعات 5000 مگابایت بر ثانیه و نوشتن اطلاعات 4200 مگابایت بر ثانیه است.ظرفیت اس اس دی هم یک ترابایت است و در قالب M.2 NVME 2280 PCIe Gen 4.0 x4 می باشد.
| ویژگی | مقدار |
|---|---|
| ← مدل و سازنده کارت گرافیک | |
| مدل | 990 EVO |
| سایر ویژگیها | |
| نوع کنترل کننده controller | Samsung In house |
| پشتیبانی از trim | √ |
| وزن | 9 گرم |
| سایر مشخصات | |
| ← مشخصات فنی اس اس دی | |
| هیت سینک خنک کننده | - |
| مقاوم در برابر شوک | - |
| سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی | UP TO 800,000 IOPS |
| سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی | UP TO 680,000 IOPS |
| نوع حافظه فلش | Samsung V NAND TLC |
| نوع رابط PCIe | - |
| رابط | - |
| ← مشخصات فنی اس اس دی اکسترنال | |
| سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی | 4200 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی | 5000 مگابایت بر ثانیه |
| میانگین طول عمر mtbf | 1.500.000 ساعت |
| ← مشخصات فنی درایو | |
| سازنده درایو | - |
| ← مشخصات فنی رم | |
| ظرفیت رم | - |
| ← مشخصات فیزیکی کارت گرافیک | |
| ابعاد | طول : 80 میلی متر عرض : 22 میلی متر ضخامت : 2.38 میلی متر |
اس اس دی سامسونگ PCIe 4.0 مدل 990 EVO دارای یک ترابایت حافظه با سرعت بالای خواندن اطلاعات 5000 مگابایت بر ثانیه و نوشتن اطلاعات 4200 مگابایت بر ثانیه است.ظرفیت اس اس دی هم یک ترابایت است و در قالب M.2 NVME 2280 PCIe Gen 4.0 x4 می باشد.
| ویژگی | مقدار |
|---|---|
| ← مدل و سازنده کارت گرافیک | |
| مدل | 990 EVO |
| سایر ویژگیها | |
| نوع کنترل کننده controller | Samsung In house |
| پشتیبانی از trim | √ |
| وزن | 9 گرم |
| سایر مشخصات | |
| ← مشخصات فنی اس اس دی | |
| هیت سینک خنک کننده | - |
| مقاوم در برابر شوک | - |
| سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی | UP TO 800,000 IOPS |
| سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی | UP TO 680,000 IOPS |
| نوع حافظه فلش | Samsung V NAND TLC |
| نوع رابط PCIe | - |
| رابط | - |
| ← مشخصات فنی اس اس دی اکسترنال | |
| سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی | 4200 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی | 5000 مگابایت بر ثانیه |
| میانگین طول عمر mtbf | 1.500.000 ساعت |
| ← مشخصات فنی درایو | |
| سازنده درایو | - |
| ← مشخصات فنی رم | |
| ظرفیت رم | - |
| ← مشخصات فیزیکی کارت گرافیک | |
| ابعاد | طول : 80 میلی متر عرض : 22 میلی متر ضخامت : 2.38 میلی متر |