051-37638090
0

اس اس دی سامسونگ 1 ترابایت مدل M.2 NVME 990 EVO Plus

شناسه محصول : 13605
تنظیم اصلالت کالا
تحویل سریع
پرداخت آنلاین
نماد 2 ستاره
ارسال رایگان

ویژگی های محصول

 

    • ظرفیت : 1 ترابایت

 

    • نوع رابط : ام2 – M.2

 

    • سرعت خواندن اطلاعات : 7150 مگابایت بر ثانیه

 

    • سرعت نوشتن اطلاعات : 6300 مگابایت بر ثانیه

 

    • نوع حافظه فلش : Samsung V-NAND TLC

 

    • نوع کنترل کننده : Samsung in-house

 

    • میانگین طول عمر : 1.500.000 ساعت

 

    • مقاوم در برابر شوک :

 

اتمام موجودی

اس اس دی سامسونگ PCIe 4.0 مدل 990 EVO Plus دارای یک ترابایت حافظه با سرعت بالای خواندن اطلاعات 7150 مگابایت بر ثانیه و نوشتن اطلاعات 6300 مگابایت بر ثانیه است.ظرفیت اس اس دی هم یک ترابایت است و در قالب M.2 NVME 2280 PCIe Gen 4.0 x4 می باشد.

ویژگیمقدار
← مدل و سازنده کارت گرافیک
مدلSAMSUNG 990 EVO Plus
سایر ویژگی‌ها
نوع کنترل کننده controllerSamsung in house Controller
پشتیبانی از trim
وزن9 گرم
سایر مشخصاتCACHE MEMORY : HMB(Host Memory Buffer)
← مشخصات فنی اس اس دی
هیت سینک خنک کننده-
مقاوم در برابر شوک-
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفیUP TO 1350,000 IOPS
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفیUP TO 850,000 IOPS
نوع حافظه فلشSamsung V NAND TLC
نوع رابط PCIe-
رابط-
← مشخصات فنی اس اس دی اکسترنال
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی6300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی7150 مگابایت بر ثانیه
میانگین طول عمر mtbf1.500.000ساعت
← مشخصات فنی درایو
سازنده درایو-
← مشخصات فنی رم
ظرفیت رم-
← مشخصات فیزیکی کارت گرافیک
ابعادطول : 80.15 میلی متر عرض : 22.15 میلی متر ضخامت : 2.38 میلی متر

دیدگاه‌ها بسته شده‌اند.

اس اس دی سامسونگ PCIe 4.0 مدل 990 EVO Plus دارای یک ترابایت حافظه با سرعت بالای خواندن اطلاعات 7150 مگابایت بر ثانیه و نوشتن اطلاعات 6300 مگابایت بر ثانیه است.ظرفیت اس اس دی هم یک ترابایت است و در قالب M.2 NVME 2280 PCIe Gen 4.0 x4 می باشد.

ویژگیمقدار
← مدل و سازنده کارت گرافیک
مدلSAMSUNG 990 EVO Plus
سایر ویژگی‌ها
نوع کنترل کننده controllerSamsung in house Controller
پشتیبانی از trim
وزن9 گرم
سایر مشخصاتCACHE MEMORY : HMB(Host Memory Buffer)
← مشخصات فنی اس اس دی
هیت سینک خنک کننده-
مقاوم در برابر شوک-
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفیUP TO 1350,000 IOPS
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفیUP TO 850,000 IOPS
نوع حافظه فلشSamsung V NAND TLC
نوع رابط PCIe-
رابط-
← مشخصات فنی اس اس دی اکسترنال
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی6300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی7150 مگابایت بر ثانیه
میانگین طول عمر mtbf1.500.000ساعت
← مشخصات فنی درایو
سازنده درایو-
← مشخصات فنی رم
ظرفیت رم-
← مشخصات فیزیکی کارت گرافیک
ابعادطول : 80.15 میلی متر عرض : 22.15 میلی متر ضخامت : 2.38 میلی متر

دیدگاه‌ها بسته شده‌اند.