اس اس دی سامسونگ 2 ترابایت مدل EVO 860
شناسه محصول : 10755
تنظیم اصلالت کالا
تحویل سریع
پرداخت آنلاین
نماد 2 ستارهارسال رایگان
ویژگی های محصول
-
- ظرفیت : 2 ترابایت
-
- نوع رابط : ساتا – SATA
-
- سرعت خواندن اطلاعات : 550 مگابایت بر ثانیه
-
- سرعت نوشتن اطلاعات : 520 مگابایت بر ثانیه
-
- نوع حافظه فلش : Samsung V-NAND 3bit MLC
-
- نوع کنترل کننده : Samsung MJX
-
- میانگین طول عمر : 1.500.000 ساعت
-
- مقاوم در برابر شوک : √
اتمام موجودی
اس اس دی سامسونگ مدل evo 860 دارای ظرفیت 2 ترابایت و قالب 2.5 اینچ می باشد و توسط رابط ساتا (Sata) می توان این حافظه پر سرعت را به کامپیوتر و لپ تاپ متصل کرد.سرعت خواندن و نوشتن در این درایو اس اس دی برابر 550 و 520 مگابایت بر ثانیه است.
| ویژگی | مقدار |
|---|---|
| ← مدل و سازنده کارت گرافیک | |
| مدل | EVO 860 MZ 76E2T0BW |
| ← مشخصات فنی اس اس دی | |
| سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی | UP TO 98,000 IOPS |
| هیت سینک خنک کننده | - |
| مقاوم در برابر شوک | - |
| سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی | UP TO 90,000 IOPS |
| نوع حافظه فلش | Samsung V NAND 3bit MLC |
| رابط | - |
| سایر ویژگیها | |
| پشتیبانی از trim | √ |
| نوع کنترل کننده controller | Samsung MJX |
| وزن | 60 گرم |
| سایر مشخصات | میزان مقاومت شوک : 1,500G & 0.5ms دمای عملیاتی : 0 تا 70 درجه سانتیگراد مصرف برق : میانگین 3.0 وات و حداکثر 4.0 وات |
| ← مشخصات فنی اس اس دی اکسترنال | |
| سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی | 520 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی | 550 مگابایت بر ثانیه |
| میانگین طول عمر mtbf | 1.5 ملیون ساعت |
| ← مشخصات فنی درایو | |
| سازنده درایو | - |
| ← مشخصات فنی رم | |
| ظرفیت رم | - |
| ← مشخصات فیزیکی کارت گرافیک | |
| ابعاد | 6.8 × 69.85 × 100 میلی متر |
اس اس دی سامسونگ مدل evo 860 دارای ظرفیت 2 ترابایت و قالب 2.5 اینچ می باشد و توسط رابط ساتا (Sata) می توان این حافظه پر سرعت را به کامپیوتر و لپ تاپ متصل کرد.سرعت خواندن و نوشتن در این درایو اس اس دی برابر 550 و 520 مگابایت بر ثانیه است.
| ویژگی | مقدار |
|---|---|
| ← مدل و سازنده کارت گرافیک | |
| مدل | EVO 860 MZ 76E2T0BW |
| ← مشخصات فنی اس اس دی | |
| سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی | UP TO 98,000 IOPS |
| هیت سینک خنک کننده | - |
| مقاوم در برابر شوک | - |
| سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی | UP TO 90,000 IOPS |
| نوع حافظه فلش | Samsung V NAND 3bit MLC |
| رابط | - |
| سایر ویژگیها | |
| پشتیبانی از trim | √ |
| نوع کنترل کننده controller | Samsung MJX |
| وزن | 60 گرم |
| سایر مشخصات | میزان مقاومت شوک : 1,500G & 0.5ms دمای عملیاتی : 0 تا 70 درجه سانتیگراد مصرف برق : میانگین 3.0 وات و حداکثر 4.0 وات |
| ← مشخصات فنی اس اس دی اکسترنال | |
| سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی | 520 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی | 550 مگابایت بر ثانیه |
| میانگین طول عمر mtbf | 1.5 ملیون ساعت |
| ← مشخصات فنی درایو | |
| سازنده درایو | - |
| ← مشخصات فنی رم | |
| ظرفیت رم | - |
| ← مشخصات فیزیکی کارت گرافیک | |
| ابعاد | 6.8 × 69.85 × 100 میلی متر |